引言
碲化镉（CdTe）是一种领先的成熟的光伏（PV）技术，其市场份额约为5%。CdTe太阳能电池的效率取决于体材料和前后界面的固有缺陷。在前界面，硫化镉（硫化镉），带隙2.42eV，是最常用的制造CdTe太阳能电池的窗层材料。硫化镉吸收波长为nm的光子，但由于高缺陷密度和光活性CdS1yTey合金的形成，对器件的电流密度没有贡献。
实验
CdTe与金属，通常是镍（Ni）或金（Au）之间肖特基结的势垒高度限制了空穴输运并增加了接触电阻，限制了预期的最大光电压。掺杂CdTe吸收层，增加了载流子浓度，定位了能带弯曲，降低了势垒高度。铜/金（Cu/Au）已在我们实验室用作后接触材料。铜原子的沉积和扩散增加了载流子的浓度，提高了器件的性能。（江苏英思特半导体科技有限公司）
然而，由于CdTe和Au之间存在势垒，Cu/Au的反向接触并不促进光生成载流子的传输。当CdTe（3.5lm）掺杂3nm铜时，CdTe与Cu/Au之间的势垒高度为；0.33eV[10]。为了进一步降低势垒，采用了一种具有合适带边的材料来提取CdTepv后接触处的空穴和电子排斥。碳纳米管、硫氰酸铜（CuSCN）、纳米晶体和纳米复合材料、碲化锌（ZnTe）和碲化锑（Sb2Te3）等材料，通过各种方法制备，试图降低背屏障高度，促进空穴向后电极的传输。
另外，通过热蒸发、溅射或化学蚀刻形成富含碲（Te）的表面/层，提高了器件效率和背屏障高度。CdTe的湿式化学蚀刻通常包括使用酒精溴（溴）溶液或酸性溶液，以创造一个富含Te的表面。常见酸性蚀刻剂HNO3-HPO4-H2O（NP）、H2O2-hi-酒石酸/柠檬酸、KIO3-KI-柠檬酸和K2Cr2O7-HNO3-H2O的混合物。可用于蚀刻的其他酒精溶液有溴甲醇（Br2-MeOH）[29]、碘甲醇（I2-MeOH）、甲基碘化铵（MAI）和氢碘酸。Br2-MeOH蚀刻法对金属具有很强的腐蚀性，可能会穿透整个CdTe薄膜，破坏前界面。同样，k2cr2o7-hno3蚀刻在表面产生TeO2，需要用碱性蚀刻（KOH-MeOH）进一步处理。用碘（或碘化合物）蚀刻CdTe比Br2-MeOH有益，因为其腐蚀性和毒性较小。（江苏英思特半导体科技有限公司）
此外，碘具有较低的氧化还原电位(I2！2I，0.54V)比溴(溴！2Br，1.09V)，这导致了CdTe表面[25]的可控蚀刻，当用碘化合物处理时，CdTe表面的图案和表面形貌显示出一个富含te的表面。基于该装置的电流-电压（J-V）特性，与具有Cu/Au背接触的标准未蚀刻器件相比，处理增强了开路电压（VOC）、填充因子（FF）和光转换效率（PCE）。
结果和讨论
图1显示了用i2、碘化铵和i2和碘化铵（I/I3）溶液处理的CdTe薄膜的拉曼光谱和XRD图。在拉曼测量过程中，将CdTe样品暴露在激光下30s，以减少激光效应。在拉曼光谱中，蚀刻的1个样品在.7、.0和.6cm1处观察到的Te-Te原子的活性振动峰比未处理的（标准）CdTe薄膜强。（江苏英思特半导体科技有限公司）
图1.(a)拉曼光谱和(b)XRD图谱图图2：各种碘化合物蚀刻CdTe薄膜的SEM图薄膜表明CdTe薄膜在选择性蚀刻后产生Te表面。此外，处理后的CdTe薄膜在27.6°处出现了一个衍射峰，这是由于Te元素的作用而引起的衍射峰。我们观察到所有三种元素碘蚀刻剂、碘化铵和I/I3.在27.6°处的衍射峰此前，用不同蚀刻剂[23,33]蚀刻CdTe表面后，富Te表面在27.6°处的衍射峰。在元素碘的情况下，在图1(b).中由Δ标记的不同“2h”位置（22.45°，28.05°，36.70°，44.10°）也观察到TeI峰衍射图谱分析表明，这些峰是由于表面存在碘化碲（TeI）b相化合物而产生的。利用MDIZADE软件对XRD模式进行分析，并与Te（PDF#97--）和TeI-b（PDF#97--）相的标准衍射模式进行比较，将这些峰分配给Te和TeI。（江苏英思特半导体科技有限公司）
结论
在此，我们成功地研究了利用碘化合物生产富te表面，用元素碘（I2）、碘化铵（碘化铵）、I/I3，和FAI处理CdTe表面，在拉曼光谱的和cm1处有很强的振动峰。同样，对表面形貌的研究表明，与未经处理的标准CdTe样品相比，表面上有Te颗粒。在XRD模式分析中，在2h角等于27.6°时，观察到一个额外的元素Te（）峰。在元素碘处理时，碘原子与Te反应产生b相TeI。提高了蚀刻CdTe后的器件性能，主要是由于富泰层的形成导致器件开路电压和FF的提高。对于蚀刻器件，最高的开路电压为mV，FF为78.2%，PCE为14.0%，而未处理器件的开路电压为mVFF为74.0%，PCE为12.7%。与标准CdTe器件相比，蚀刻器件的J-V-T特性显示其背屏障高度降低。因此，本研究表明，用碘溶液蚀刻镉表面可以制备高效的镉器件。（江苏英思特半导体科技有限公司）