内容简介：
第四代半导体材料器件技术的潜在目标材料体系主要包括：窄带隙的锑化镓（GaSb）与砷化铟（InAs）、超宽带隙的氧化镓（Ga2O3）与氮化铝（AlN）、各种低维碳基与二维材料。其中，锑化物半导体材料是指以铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）等Ⅲ族元素以及砷（As）、锑（Sb）等Ⅴ族元素为基础组成的二元、三元、四元及五元化合物材料，具有红外发光、能带可调的物理特性，是天然晶格匹配的材料体系，与传统的激光与探测材料相比，更是具有晶格匹配性好、均匀性好、单片基片尺寸大、半导体制备工艺兼容性高等独特优势，发展潜力巨大，在成像、遥感、传感、气体探测等诸多方面具有重要用途，同时也是国际同行公认的新一代红外中长波段激光、探测、半导体光电集成芯片的首选材料体系，为各种新型功能芯片器件的研究提供了极大的发展空间。
锑化物半导体材料具有小的电子与空穴质量，室温载流子迁移率远超前三代半导体材料体系，在实现超低功耗、超高速的微电子集成电路器件方面具有无可比拟的优势，而其良好的热电性能，则使得各类含锑元素的晶体材料在热电制冷器件研究中展现出不可替代的应用前景。
第一章锑化物半导体行业概述
第一节锑化物半导体定义
第二节锑化物半导体发展历程
第二章年中国锑化物半导体环境分析
第一节我国经济发展环境分析
第二节行业相关政策、法规、标准
第三章中国锑化物半导体技术发展分析
第一节当前中国锑化物半导体技术发展现况分析
第二节中国锑化物半导体技术成熟度分析
第三节中外锑化物半导体技术差距及其主要因素分析
第四节提高中国锑化物半导体技术的策略
第四章锑化物半导体市场特性分析
第一节集中度锑化物半导体及预测
第二节SWOT锑化物半导体及预测
一、优势锑化物半导体
二、劣势锑化物半导体
三、机会锑化物半导体
四、风险锑化物半导体
第三节进入退出状况锑化物半导体及预测
第五章中国锑化物半导体发展现状
第一节锑化物半导体经济性评价及竞争分析
第二节-年国内锑化物半导体装置
第三节中国锑化物半导体市场需求分析及预测
第六章-年锑化物半导体研究机构
第一节中国科学院半导体研究所
一、企业概况
二、企业竞争优势分析
三、锑化物半导体分析
第二节长春理工大学
一、企业概况
二、企业竞争优势分析
三、锑化物半导体分析
第七章锑化物半导体投资建议
第一节近几年拟投产的锑化物半导体装置
第二节锑化物半导体投资进入壁垒分析
一、经济规模、必要资本量
二、准入政策、法规
三、技术壁垒
第三节锑化物半导体投资建议
第八章中国锑化物半导体未来发展预测及投资前景分析
第一节未来锑化物半导体行业发展趋势分析
一、未来锑化物半导体行业发展分析
二、未来锑化物半导体行业技术开发方向
第二节-年锑化物半导体行业相关趋势预测
一、政策变化趋势预测
二、供求趋势预测
三、进出口趋势预测
第九章业内专家对中国锑化物半导体投资的建议及观点
第一节投资机遇锑化物半导体
第二节投资风险锑化物半导体
一、政策风险
二、宏观经济波动风险
三、技术风险
四、其他风险
第三节行业应对策略