n型半导体是在本征半导体中掺入磷、锑、砷元素形成的。
1.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，如硅、锗、硒等，它们的电阻率通常也介于导体和绝缘体之间。半导体之所以得到广泛应用，是因为它的导电能力受掺杂、温度和光照的影响十分显著。
2.在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素，例如磷，则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子。磷原子最外层有5个价电子，其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构，多余的1个价电子在共价键之外，只受到磷原子对它微弱的束缚，因此在室温下，即可获得挣脱束缚所需要的能量而成为自由电子，游离于晶格之间。
3.N-型半导体是通过在本征半导体中掺入施主杂质而得到的，通常是在硅中掺入磷。N-型半导体的电子浓度远大于空穴浓度。N-型就是来自于电子的负电荷。在N-型半导体中，电子是多子，空穴是少子。