美国人首先发现和理解了光伏材料的关键技术，因此美国在前面多代半导体器件上面有明显的优势，技术标准都以美国技术型为标准的。
但从第三代半导体材料逐渐，中国的优点开始显现了。值得一提的是，中国处理芯片重大突破，西安邮电大学在第四代半导体器件上有功了，外国媒体：美封禁的人是谁？
在所有芯片材料中，硅的适用范围是最广泛的，研制的配套技术这是最深层次的。人类从沙砾中获取高纯的硅，随后高温下熔成圆柱形的硅晶柱，也就是俗称的“硅锭”。
这都仅仅逐渐，切割机需要将“硅锭”切成单晶硅片，并抛光处理成单晶硅片。处理芯片原型也就有了，相互配合后续光刻技术，封装测试等步骤，硅基芯片就打造成功了。
人类利用硅生产制造大量电子装置，产生现在的信息科技管理体系，绝大多数的电子产品都少不了硅基芯片的大力支持。但人们对于硅基芯片的实践探索已经是一个极限值，摩尔定律将要走到最后。
若想摆脱摩尔定律，还要从新型材料，新技术等方面进行，因此人类从第一代硅半导体原材料进入到了现在的第四代。
同时在第四代半导体器件层面，中国处理芯片得到重大突破，西安邮电大学研发团队在8英尺单晶硅片上制作出高质量氧化镓外延片，代表着在超宽禁带半导体方面取得关键突破。
此外，中国科学技术大学微电子学院也传出喜讯，龙世兵教授课题组带领公司，初次开发出了氧化镓竖直槽栅mos晶体管，再度为国产半导体积淀大量氧化镓原材料的关键技术。
从第一代半导体器件到现在的氧化镓，半导体器件也经历了什么发展历程呢？中国又获得了如何的推进？
世界上最早产品研发半导体器件历史可追溯到年，微电子学鼻祖法拉第发现了第一代半导体器件硫化银，这些材料的电阻器也会随着温度升高而减少。
这具有非常好的导电性特点，因此为人类社会发展半导体材料奠定了基础。但是真正促进第一代半导体器件持续发展的其实就是硅，年，美国科学家杰克·基尔比创造了全世界第一颗硅基芯片，这标识这电子元件转为小型晶体三极管。
我们能够在细微的集成电路芯片中容下上百万根晶体三极管，在硅基芯片的前提下，持续微型晶体三极管相对密度，减少线距，减少芯片制造工艺。从μm提升到纳米技术，再到现在的3nm，每一次的提升全是光伏材料给予打好基础。
但光伏材料已不达到性能测试方案了，而且有的应用领域集成电路芯片能够找到合适的替代物。例如第二代半导体器件GaAs，锑化铟能够广泛用于光纤通信系统，传输速率是硅基电子装置的倍。
而第三代半导体材料氮化镓，氮化硅可以用于表明，电力工程行业，耐热的特点也被用以充电头。
硅基芯片特性再厉害，也不一定能达到全部的应用场景，因此科学研究多元化的半导体器件一直是我们努力方向，时至今日的第四代半导体材料氧化镓原材料，再度拓展了半导体业的概率。
除开原材料上的改变，带隙也有着很高的更新。硅带隙仅有1.12eV，归属于窄禁带半导体材料。到第四代的氧化镓，带隙增加到了4.84eV，归属于超宽禁带半导体。
伴随着带隙的提高，处理芯片在极端恶劣环境上的表现越好。
半导体器件的发展历程跨距特别大，早期半导体器件创造发明运用被海外核心，可是从第三代半导体材料逐渐，中国的创新愈来愈多，甚至是在第四代半导体器件行业，中国获得的推进已经进入了国际性最前沿水平。
放眼世界，几乎很少有国家在8英尺单晶硅片上进行氧化镓的制取，更不要说12英尺了。若中国可以从材质上下手，掌握核心科技，并逐渐攻破芯片工艺，半导体行业等全产业链，预计在基础技术解决对美国的依赖性。
有国外媒体表明，美封禁的人是谁？目前来说，美国要在咎由自取，大肆处理芯片封锁措施非但没有阻拦中国的步伐，归还诸多日资企业增加生存压力，营业收入盈利同时狂跌，好像又被美国给封禁了。
假如美国还没回过头，只能无法自拔，而中国半导体材料在西安邮电大学，中国科学技术大学等高校努力下，一定能获得更好的发展。