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国内半导体产业再传好消息，西安邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室的陈海峰教授团队成功在8英寸硅片上制备出了高质量的氧化镓外延片，这一成果标志着西安邮电大学在超宽禁带半导体研究上取得重要进展。
氧化镓是第四代半导体材料，非常重要，甚至有一定的战略意义。去年，美国商务部工业和安全局对四项新兴和基础技术建立了出口管制，其中包括超宽带隙半导体材料——氧化镓和金刚石，此举也进一步说明了这点。
那么第一代半导体主要指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料，第二代半导体指砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等具有较高迁移率的半导体材料，第三代半导体指碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料，第四代半导体指氧化镓(Ga2O3)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等超宽禁带半导体材料，以及锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)等超窄禁带半导体材料。超宽禁带半导体凭借耐高温、抗高压、开关速度快、效率高、节能、寿命长等特点，发展势头正猛。
氧化镓是一种无机化合物，化学式为Ga2O3（三氧化二镓），作为第四代半导体的代表，被视为“替代碳化硅和氮化镓”的新一代半导体材料，也被国际普遍