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书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:半导体材料特性
编号:JFKJ-21-
作者:炬丰科技
样品蚀刻条件:
以下部分是对作者产生特定蚀刻速率的各种条件/化学品的示例选择。根据所需的蚀刻速率和选择性,有多种方法可以改变工艺参数甚至蚀刻剂。对于上一节中列出的六种材料的湿法和干法配方的简要概述,蚀刻速率是主要问题,因为选择性会因主要和次要材料而异。
锗:
湿蚀刻:
蚀刻条件:
(1)N型锗
(2)转速ROM
(3)开路电位
(4)蚀刻剂:各不相同
硅:略
砷化镓:略
砷化铟:略
锑化铟:略