炬丰科技半导体工艺半导体材料特性

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书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:半导体材料特性

编号:JFKJ-21-

作者:炬丰科技

样品蚀刻条件:

以下部分是对作者产生特定蚀刻速率的各种条件/化学品的示例选择。根据所需的蚀刻速率和选择性,有多种方法可以改变工艺参数甚至蚀刻剂。对于上一节中列出的六种材料的湿法和干法配方的简要概述,蚀刻速率是主要问题,因为选择性会因主要和次要材料而异。

锗:

湿蚀刻:

蚀刻条件:

(1)N型锗

(2)转速ROM

(3)开路电位

(4)蚀刻剂:各不相同

硅:略

砷化镓:略

砷化铟:略

锑化铟:略




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