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铟砷锑制备时常是采纳熔体外表法，在砷化铟（InAs）衬底上外表成长铟砷锑厚膜单晶，铟砷锑外表层厚度可达μm，与衬底之间晶格失配率降至最低，外表层位错密度大幅下落，晶体原料获得大幅提高。
铟砷锑（InAsSb），是III族元素铟（In）与V族元素砷（As）、锑（Sb）化合构成的三元化合物半导体材料，属于窄带隙半导体。遵循新思界财产研讨中央宣布的《-年铟砷锑（InAsSb）行业深度商场调研及投资计谋提倡汇报》显示，铟砷锑是当前已觉察的禁带宽度最小的III-V族化合物半导体，且禁带宽度可调理，并具备机关褂讪、载流子迁徙率高、介电常数小、自散布系数小等特性，是第四代半导体材料，合用于红外探测器、传感器等建造畛域。铟砷锑也许独自做为半导体材料哄骗，也也许与其余III-V族半导体材料瓜代成长纳米薄层制备二类超晶格材料，InAs/InAsSb（砷化铟/铟砷锑）超晶格是代表性产物，是第三代红外探测器的最好敏锐材料之一。InAs/InAsSb超晶格的禁带宽度由锑（Sb）决议，其做事波段遮盖短波红外到甚长波红外（2-30μm），与另一代表性二类超晶格InAs/GaSb（砷化铟/锑化镓）超晶格不异，但与后者比拟，InAs/InAsSb超晶格的少子寿命更长，占有庞大进展潜力。铟砷锑制备时常是采纳熔体外表法，在砷化铟（InAs）衬底上外表成长铟砷锑厚膜单晶，铟砷锑外表层厚度可达μm，与衬底之间晶格失配率降至最低，外表层位错密度大幅下落，晶体原料获得大幅提高。欺诈此法子制备的铟砷锑用做敏锐材料，建造而成的非制冷型铟砷锑红外探测器，反应速率显然提高，并具备波长遮盖畛域宽、禁带宽度可调理、探测效率高的好处，是一种高功能非制冷型红外探测器。新思界行业剖析人士示意，铟砷锑探测器在室温前提下占有崇高的探测效率，且反应速率高于碲镉汞（HgCdTe）探测器，并也许建造袖珍化探测器产物，是以其进展遭到多个国度的