一、锑化镓(GaSb)材料材料概述
锑化镓（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半导体，属于闪锌矿、直接带隙材料，其禁带宽度为0.eV（K），晶格常数为0.nm。
二、锑化镓(GaSb)材料材料的性质
结构特性：GaSb的密度是5.g/cm3，在K时密度为5.6g/cm3，其晶体结构属于闪锌矿结构。
热学特性：GaSb晶体在高温条件下受到电子散射声子和光声子散射的影响，导致GaSb晶体的热导率随着温度的升高而逐渐下降。
电学特性：未掺杂的GaSb单晶表现为P型的导电特性，要制备N型的GaSb单晶，通常采用富Sb的GaSb多晶料，并使用Te、Se与S等作为N型掺杂剂。
三、锑化镓(GaSb)材料的应用领域
1.制作光谱范围在2～5μm的光电子器件，该类光电子器件可应用于光纤通信、激光测距、光敏探测等各种工程领域
2.GaSb材料是窄禁带半导体材料，可用于制备吸收红外光（nm～nm）转变为电能的热光伏电池。
四、锑化镓(GaSb)材料的不同生长方法
单晶生长方法：液封直拉法、垂直布里奇曼法、垂直梯度凝固法。
电池的制备：液相外延生长法、金属有机气相外延、金属有机化学气相沉积、分子束外延。