题目：VTD法制备不同基底倾角的硒化锑薄膜及太阳电池
作者：白晓彤，崔晓荣，张林睿，周炳卿
单位：内蒙古师范大学物理与电子信息学院；内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室
关键词：硒化锑；气相转移沉积法；基底倾角；太阳电池；微结构；带隙
基金来源：国家自然科学基金()；内蒙古自治区自然科学基金博士基金(BS)
出处：硅酸盐通报,,41(3):-.
固定布局工具条上设置固定宽高背景可以设置被包含可以完美对齐背景图和文字以及制作自己的模板
背
景
介
绍
当今世界面临环境污染和能源短缺两大难题，风能、水能、太阳能等新能源的开发尤为重要，其中太阳能作为绿色清洁能源备受人们青睐。太阳电池是获取太阳能的一种有效手段，目前晶硅太阳电池因其高效率和良好的稳定性在光伏领域占据主导地位。而新型电池的研究则主要围绕柔性、廉价以及低毒几方面展开。Sb2Se3无毒性且锑和硒的元素含量丰富，成为一种很有前途的薄膜光伏太阳电池材料。Sb2Se3吸收层的制备方法众多，其中气相转移沉积法(vaportransferdeposition,VTD)因工艺简单、可大面积制备而备受