GaSb衬底用于制作多种用途的半导体光电器件,这些器件是制造探测器,激光器,高频器件,太阳电池的重要构件。我司可按照客户需求定做各种尺寸规格,晶向,抛光,掺杂的晶片
锑化镓晶棒III-V族化合物半导体是目前重要的半导体光电子材料体系,其光波段覆盖了紫外(AlGaN)、可见光(GaN基)、近红外(GaAs基和InSb基)到中远红外(GaSb基)。其中,锑化镓光电子器件工作波段可覆盖2-30μm的中远红外区域,是高分辨、高探测率、主被动结合的第三代红外技术重要发展方向。
锑化镓(GaSb)作为III-V族化合物半导体,属于闪锌矿、直接带隙材料,可以与各种三元、四元的III-V族化合物半导体材料的晶格常数相匹配,因此由晶格失配导致的应力、缺陷等问题大大减少。锑化镓已经成为制备8-14mm及大于14mm的LED及光电探测器、光纤通信器件、激光器的重要衬底材料。此外,Te掺杂的GaSb可用于制备高光电转化效率的热光伏器件、迭层太阳能电池等。
以GaSb衬底生长的Ⅱ类超晶格材料研制的红外探测器在中长波红外波段表现出优异的探测性能,可用于制作长波发光二极管、激光器、探测器等光电器件。用GaSb单晶制作的激光器波长可以在1.7-4.3μm范围内改变,在大直径GaSb衬底上外延生长超晶格材料有利于制作低成本高像素红外焦平面阵列,实现高质量红外成像。
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