基于硫族相变材料的相变存储器phase-changememory，例如Intel傲腾内存与固态硬盘，已进入全球存储器市场，填补了传统内存DRAM与固态硬盘SSD之间的性能缺口。相变存储器的核心功能层为锗锑碲合金Ge-Sb-Te(GST)。其工作原理是利用外加电脉冲所产生的焦耳热对存储器件局部进行加热，驱动GST在其晶体相与非晶相之间进行快速可逆的结构相变，而GST非晶相与晶体相之间超过三个数量级的电阻差异则被用于“0”和“1”的二元逻辑值识别。此外，相变材料的逐步结晶化模式所引发的电阻非线性连续变化可有效模拟生物神经元行为。因此，GST合金被视为研发类脑计算neuromorphic
