短缺、断供，中美各自投资兴建芯片厂，最近一段时间，围绕芯片业的新闻频出。有外媒近日报道称，中国正斥巨资用于研发第三代半导体，应对美国制裁导致的半导体断供危机。
从产业意义上来说，芯片是中国科技最大的短板，是美国针对中国“卡脖子”最多的领域，也是中国发展自主产业链的必然方向。第三代半导体芯片研发目前刚刚起步，中国与世界先进水平差距不大，的确存在追赶或者超越的可能。
第三代半导体芯片并非指当前更为高级的芯片，而是以氮化镓和碳化硅等新材料为基础发展半导体功放芯片，特性是耐高温、高压、大电流，用于新能源汽车等特定领域。人们更熟悉的逻辑运算与存储芯片，还是以硅片晶圆为材料，硅纯度越高越好。
基于硅基的芯片发展历史很长，围绕它的一系列指标以摩尔定律指数增长。指甲盖大小的芯片里有上百亿个晶体管，功能强大到能让手机流畅运转，让小小的U盘里可以有几百G的存储空间。硅基芯片制造已深入到10纳米的原子级别，难度极大，设计、设备、生产技术、投资要求极高。硅基芯片是国产自主芯片发展的主战场，涉及利益最大，面临的挑战也最为艰巨。
实际上，以砷化镓和锑化铟等材料为基础的第二代半导体，在光纤和移动通信领域作用很大，中国发展得也不错，但依然无法解决芯片主战场上的问题。各代际之间是并列关系，不能形成替代。在可以预见的将来，硅基都将是芯片发展的主要领域。对于急需补上芯片短板的中国更是如此，必须强攻主流芯片制造技术，很难如汽车领域般靠电动车对传统汽油车实现弯道超越。
芯片的“制程”由晶体管两个栅极的距离（纳米）定义，可以划分为“成熟”和“先进”两个阶段，随着时间推移，先进的会转为成熟，更先进的又会出现。现阶段的中国正好处于划分相对清晰的节点：28纳米及以上是成熟制程，14纳米及以下的是先进制程，需要用到FinFET（晶体管的两极象鱼鳍竖起，向立体发展）等先进制造工艺。如果从是否需要最先进的EUV光刻机来看，14纳米也可归入成熟制程。
因为华为7纳米、5纳米芯片受美国制裁导致手机无法出货，一般社会舆论容易认为中国目前最需要追赶的是先进制程，高度