5G时代的到来，处理器芯片与基带芯片更加强劲，手机的屏幕越来越大，所以，不可避免地带来了更大的功耗，加速了手机耗电。为了解决手机续航问题，手机厂商在电池容量和快速充电上用了不少功夫，主要体现在电池容量和快充的平衡上。
一：加大电池容量。
手机加大电池容量对于续航的提升效果最为直接，但是，它的弊端也就凸显出来了，那就是如果无限制的增加电池容量和体积，手机会越来越厚，比如，电池也就多毫安时的电池，机身厚度普遍都在9mm左右了，
二：加快充电速度
随着电池的容量的加大，手机厂商就要在容量和充电速度直接找到一个平衡，虽然苹果手机一直都是5w的充电器，但是国内厂商在保障安全的前提下为了提速快充，充电功率从18W到22.5W，从30W到40W再到65W，现在更是推出了W功率的快充。这就是最近一种新型技术氮化镓充电器，那么氮化镓是什么，氮化镓充电器跟其它充电器又有什么区别呢？
充电器体积越来越大氮化镓（GaN，galliumnitride）顾名思义就是氮和镓组成的化合物。具体半导体特性，在此，我们回顾一下半导体发展史就更明白了，
从上表中可以看出，根据材料的不同，现代半导体已经发展到第三代，也就是氮化镓一类，
第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体。它们在国际信息产业技术中的各类分立器件和集成电路、电子信息网络工程等领域得到了极为广泛的应用。第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP），以及三元化合物半导体材料，还有一些固溶体半导体材料、玻璃半导体（又称非晶态半导体）材料、有机半导体材料等。主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（禁带宽度Eg2.3eV）的半导体材料。
与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
于是，年9月，OPPO宣布在其65W内置快速充电器中采GaNHEMT器件，GaN在年首次进入主流消费应用。年2月，小米公司在小米10发布会上也宣布使用65W的GaN快充。就在OPPO、小米相继推出了GaN充电器，提升了GaN在普通用户群体中的知名度，现在魅族也准备发布GaN充电器。但是，将GaN材料普遍应用于手机自身内部，也许还要一段时间。
图/小米