传统的嵌入式非易失性存储NORFlash在微缩到40nm后已经接近物理极限，而40nm以下的嵌入式非易失性存储NORFlash工艺相当复杂，且成本大幅度提高，嵌入式内存技术面临着重大挑战。江苏时代芯存半导体有限公司（以下简称：时代芯存）母公司北京时代全芯存储技术股份有限公司（以下简称：时代全芯）积极布局的相变存储器（PCM）能够为嵌入式内存技术发展提供极大的帮助。
在FD-SOI和FinFET高级CMOS技术中，传统浮栅嵌入式非易失性存储器（eNVM)的集成在28nm和更小的硅几何结构上是一个重大的技术挑战。而新的NVM技术基于特殊外来材料的功能特性，采用了与Flash存储器技术完全不同的物理机制，能够为28纳米CMOS转变带来的工艺集成困难提供更有效的解决方案。
在新型NVM技术中，最成熟的是相变存储器（PCM)。相变记忆的基本机制是由斯坦福·罗伯特·奥夫斯基在20世纪60年代发明的。ST持有原始开发的专利许可证，并在这项突破性工作的基础上发展了15年多，开发了嵌入式PCM解决方案（ePCM)，该解决方案如今已集成到28nmFD-SOI技术平台中。
据了解，相变存储器是用锗锑碲（GST)合金制成的，它利用了材料在非晶态和晶态之间物理性质的快速热控变化。对应于逻辑0和1的这些状态通过非晶态（逻辑0)中的高电阻和晶态（逻辑1)中的低电阻进行电区分。
PCM在低电压下读写，与Flash和其他嵌入式存储器技术相比，具有许多显著的优势，且PCM在40nm以下的嵌入式存储中优势尤为明显：一、与40nm以下CMOS工艺的兼容性；二、微缩的延伸性可达18nm以下，甚至更低；三、工艺兼容性，使制程工艺得以保持传统简单，成本不会因为微缩而大幅增加。
突破嵌入式NOR在40nm以下的瓶颈将是时代全芯发展的重点方向，时代全芯将继续深耕PCM领域，加大技术创新力度，以PCM技术赋能推动嵌入式内存技术的发展。